RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2913
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link