RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2913
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link