RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2913
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link