RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3463
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link