RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 14.2
    テスト平均値
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 -64% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3463

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
メモリRAM