RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
11.4
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2062
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link