RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Kingston 9965640-006.A01G 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
11.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2220
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link