A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 11.2

Среднее значение в тестах

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 46

Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2672

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston 9905663-005.A00G 16GB

Kingston 9905663-005.A00G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

модули RAM