RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
9.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2286
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link