RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2286
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link