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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2286
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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