A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 76

Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 10.3

Среднее значение в тестах

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.9 2,061.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 76
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 10.3
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 1260

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM