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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
76
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
76
读取速度,GB/s
4,937.3
10.3
写入速度,GB/s
2,061.2
6.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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