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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 76
    周辺 39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 10.3
    テスト平均値
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.9 left arrow 2,061.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 10.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 1260

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