RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
66
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1699
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link