RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
66
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1699
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link