RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
67
Около -191% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
3.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
3232
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64EP8
Samsung M3 78T2863DZS-CE6 1GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link