RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
67
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
26
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
3.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2880
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link