RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
67
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
54
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
3.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
1904
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link