AMD AE34G1601U1 4GB против Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1601U1 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 67

Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.2 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1601U1 4GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 31
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 21.2
Скорость записи, Гб/сек

3.6 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

998 3486

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

модули RAM

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

модули RAM