RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
38
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2346
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link