RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link