RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En -196% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link