RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
3035
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link