RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
73
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.2
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2155
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link