RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
122
Около 84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
122
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
9.4
Скорость записи, Гб/сек
12.3
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
1411
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link