RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
28
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.3
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
3660
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link