RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против InnoDisk Corporation 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
7.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2163
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link