RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2163
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link