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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2163
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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