RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2600
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link