RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
6.7
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3023
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link