RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2278
2880
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link