RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2278
2382
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link