Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 39

Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 14.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 8.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 22
Скорость чтения, Гб/сек

14.6 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.8 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2355 3207

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

модули RAM