RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
52
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
52
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2228
2306
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link