RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Сравнить
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.1
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2099
2847
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link