Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Причины выбрать
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 38

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 24
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 14.3
Скорость записи, Гб/сек

8.7 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2106 2913

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB

Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

модули RAM