RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2106
2731
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Сравнения RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link