RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2453
2417
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link