RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
13.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2341
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link