RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
3317
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link