RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
73
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
20
73
Скорость чтения, Гб/сек
17.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
11.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3077
1843
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Сравнения RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link