Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 28

Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения

22.8 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 10.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

17 28
Скорость чтения, Гб/сек

22.8 12.9
Скорость записи, Гб/сек

15.4 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3391 2619

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9965640-013.A01G 32GB

Kingston 9965640-013.A01G 32GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB

Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

Kingston 9905630-005.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB

A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB

модули RAM