RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
7.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
1949
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link