RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
2640
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link