RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
44
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
7.4
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
1660
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link