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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
44
读取速度,GB/s
11.4
8.5
写入速度,GB/s
7.4
5.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1660
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CMTS16GM4800A40T2 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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