RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
9.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
1949
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link