Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    20 left arrow 34
    Около -70% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.7 left arrow 16.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.2 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 20
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.2 left arrow 19.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.7 left arrow 15.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2636 left arrow 3473
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения